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薄膜電容CBB21-630V-474J

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產(chǎn)品用途及特點(diǎn):

廣泛應用于高頻、直流、交流和脈沖電路中,無(wú)感結構,損耗少,內部溫升小,可承受高脈沖,大電流,耐高頻100KHZ,容量變化少,負溫度系數

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產(chǎn)品參數 / Product Details

  • 【產(chǎn)品型號】CBB21-630V-474J
  • 【所屬分類(lèi)】CBB21薄膜電容
  • 【本體高度】29mm
  • 【電容量】0.47μF
  • 【本體厚度】20mm
  • 【容量編號】474
  • 【本體寬度】10mm
  • 【主要材料】金屬化聚丙烯
  • 【額定電壓】630VDC
  • 【引線(xiàn)間距】27.5mm
  • 【測試電壓】1800VDC
  • 【引線(xiàn)長(cháng)度】3-22mm
  • 【標準偏差】J(±5%)
  • 【引線(xiàn)直徑】0.8mm
  • 【損耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【絕緣電阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【溫度范圍】-40℃~+110℃
如需了解其它參數請通過(guò)右側電話(huà)或者微信 、QQ咨詢(xún)

資料下載 / Product Details

產(chǎn)品詳細 / Product Details

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推薦閱讀 / Product Details


陶瓷電容器(ceramic capacitor;ceranic condenser),也稱(chēng)為瓷介電容。陶瓷電容器是用以陶瓷為介質(zhì),涂敷金屬薄膜(通常為銀)經(jīng)高溫燒結而形成電極,再在電極上焊上引出線(xiàn),外表涂以保護磁漆,或用環(huán)氧樹(shù)脂包封而成。外形是圓片形,藍色居多,也有黃色。陶瓷材料配方不同,它的電性能也不同。


陶瓷電容器具有耐熱性能好,絕緣性能優(yōu)良,結構簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),但不同陶瓷材料其特性有非常大的差異,必須根據使用要求正確選用。


陶瓷電容按頻率特性分有:高頻瓷介電容器(1類(lèi)瓷);低頻瓷介電容器(2類(lèi)瓷);交流瓷介電容器,按耐壓區分有高壓瓷介電容器(1KVDC以上)和低壓瓷介電容器(500VDC以下)。


一:高頻瓷介電容器(亦稱(chēng)1類(lèi)瓷介電容器)


該類(lèi)瓷介電容器的損耗在很寬的范圍內隨頻率的變化很小,并且高頻損耗值很小,(tanδ≤0.15%,f=1MHz),最高使用頻率可達1000MHz以上。同時(shí)該類(lèi)瓷介電容器溫度特性?xún)?yōu)良,適用于高頻諧振、濾波和溫度補償等對容量和穩定度要求較高的電路。其國標型號為CC1(低壓)和CC81(高壓),其常規容量范圍對應如下:


溫度系數αC=1/C(C2-C1/t2-t1)X106(PPM/°C),是指在允許溫度范圍內,溫度每變化1°C,電容量的相對變化率。由上表看出,1類(lèi)瓷介電容器的溫度系數很小,尤其是CH特性,因此也常把1類(lèi)瓷介電容器中CH電容稱(chēng)為溫度補償電容器。但由于該類(lèi)陶瓷材料的介電常數較小,因此其容量值難以做高。


二:低頻瓷介電容器(亦稱(chēng)2類(lèi)瓷介電容器)


該類(lèi)瓷介電容的陶瓷材料介電常數較大,因而制成的電容器體積小,容量范圍寬,但頻率特性和溫度特性較差,因此只適合于對容量、損耗和溫度特性要求不高的低頻電路做旁路、耦合、濾波等電路使用。國標型號為CT1(低壓)和CT81(高壓)。由于其自身溫升小,頻率特性較好,因而可以用于頻率較高的場(chǎng)合。


對低壓瓷介電容,當容量大于47000pF時(shí),則只能選擇3類(lèi)瓷介電容器(亦稱(chēng)半導體瓷介電容器)。


三:交流瓷介電容器


根據交流電源的安全性使用要求,在2類(lèi)瓷介電容器中專(zhuān)門(mén)設計生產(chǎn)了一種絕緣特性和抗電強度很高的交流瓷介電容器,亦稱(chēng)Y電容,是安規電容系列,按絕緣等級劃分為Y1、Y2、Y3三大系列。


y電容主要作用為抑制EMI傳導干擾。用來(lái)消除共模干擾,消除1M以上高頻部分的干擾。也是分別跨接在電力線(xiàn)兩線(xiàn)和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對出現。Y電容接地起濾波作用?;诼╇娏鞯南拗?,Y電容值不能太大。 Y電容的電容容量,電壓,安規認證標識均在電容本體上有打印標識。Y 電容的耐壓性能對保護人身安全具有重要意義。


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